Справочник MOSFET. TT8J2

 

TT8J2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TT8J2
   Маркировка: J02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
 

 Аналог (замена) для TT8J2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8J2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  rohm
 tt8j2.pdf pdf_icon

TT8J2

4V Drive Pch MOSFET TT8J2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (4V) Abbreviated symbol : J02 Applications Each lead has same dimensionsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(8) (7) (6) (5)Type Code T

 0.1. Size:522K  rohm
 tt8j21.pdf pdf_icon

TT8J2

TT8J21 Pch -20V -2.5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-20V(7) TSST8(6) RDS(on) (Max.)68mW (5) (1) ID-2.5A(2) (3) PD1.25W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive.(3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.4) Sm

Другие MOSFET... TSM9N90CI , TSM9N90CN , TSM9N90CZ , TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , TSU45N60 , TT8J11 , TT8J13 , RFP50N06 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 .

History: SED10070GG

 

 
Back to Top

 


 
.