TT8J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT8J3
Código: J03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 4.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm
Paquete / Cubierta: TSST8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TT8J3
TT8J3 Datasheet (PDF)
tt8j3.pdf
TT8J3Datasheet-30V Pch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSST8VDSS-30VRDS(on)(Max.) 84m ID 2.5A PD1.25W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPack
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Liste
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