Справочник MOSFET. TT8J3

 

TT8J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TT8J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
 

 Аналог (замена) для TT8J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2753K  rohm
 tt8j3.pdf pdf_icon

TT8J3

TT8J3Datasheet-30V Pch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSST8VDSS-30VRDS(on)(Max.) 84m ID 2.5A PD1.25W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPack

Другие MOSFET... TSM9N90CZ , TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , TSU45N60 , TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , 4435 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.