TT8J3 - описание и поиск аналогов

 

TT8J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TT8J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm

Тип корпуса: TSST8

Аналог (замена) для TT8J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8J3 даташит

 ..1. Size:2753K  rohm
 tt8j3.pdf pdf_icon

TT8J3

TT8J3 Datasheet -30V Pch+Pch Middle Power MOSFET lOutline l TSST8 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 84m ID 2.5A PD 1.25W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package . 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPack

Другие MOSFET... TSM9N90CZ , TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , TSU45N60 , TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , 5N65 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR .

History: BSS209PW

 

 

 

 

↑ Back to Top
.