TT8K11 Todos los transistores

 

TT8K11 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TT8K11

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.071 Ohm

Encapsulados: TSST8

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TT8K11 datasheet

 ..1. Size:509K  rohm
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TT8K11

Data Sheet 4V Drive Nch + Nch MOSFET TT8K11 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSST8 Features (8) (7) (6) (5) 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive(4V drive). 3) Small surface mount package(TSST8). (1) (2) (3) (4) Abbreviated symbol K11 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Tapin

 9.1. Size:183K  rohm
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TT8K11

1. V Drive Nch MOSFET TT8K1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package. 3) 1.5V drive. Abbreviated symbol K01 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces)

Otros transistores... TSM9NB50CZ , TSU45N60 , TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , IRFB3607 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S .

History: IXFH102N15T | AP70SL1K4AI | MTW10N100E | NTMFS4933N | BSZ042N04NSG | BSS83P | MDQ16N50GTP

 

 

 

 

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