TT8K11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TT8K11
   Código: K11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.071 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TT8K11

TT8K11 Datasheet (PDF)

..1. Size:509K rohm
tt8k11.pdf

Data Sheet4V Drive Nch + Nch MOSFET TT8K11 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSST8Features(8) (7) (6) (5)1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(4V drive).3) Small surface mount package(TSST8). (1) (2) (3) (4)Abbreviated symbol : K11 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Tapin

9.1. Size:183K rohm
tt8k1.pdf

1.V Drive Nch MOSFET TT8K1 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package.3) 1.5V drive.Abbreviated symbol : K01 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces)

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Liste

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