Справочник MOSFET. TT8K11

 

TT8K11 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TT8K11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.071 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
 

 Аналог (замена) для TT8K11

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8K11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  rohm
 tt8k11.pdf pdf_icon

TT8K11

Data Sheet4V Drive Nch + Nch MOSFET TT8K11 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSST8Features(8) (7) (6) (5)1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(4V drive).3) Small surface mount package(TSST8). (1) (2) (3) (4)Abbreviated symbol : K11 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Tapin

 9.1. Size:183K  rohm
 tt8k1.pdf pdf_icon

TT8K11

1.V Drive Nch MOSFET TT8K1 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package.3) 1.5V drive.Abbreviated symbol : K01 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces)

Другие MOSFET... TSM9NB50CZ , TSU45N60 , TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , AON7506 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S .

History: UPA1918 | SVF18NE50PN | PSMN010-80YL | BSZ009NE2LS5 | TPD60R840C | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.