TT8M1 Todos los transistores

 

TT8M1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT8M1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8
     - Selección de transistores por parámetros

 

TT8M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  rohm
 tt8m1.pdf pdf_icon

TT8M1

1.5V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M1 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/ TSST8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package (TSST8).3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol :M01 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage TapingType

 0.1. Size:1303K  rohm
 tt8m11.pdf pdf_icon

TT8M1

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M11 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/TSST8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Low voltage drive(4V drive).3) Small surface mount package(TSST8).Abbreviated symbol : M11 ApplicationSwitching Packaging specificationsInner circuit(8)

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: CEC3172 | FQD5N15TF | IXFR80N60P3 | IXFK48N50Q | APT6025BVR | 2N7064 | 5N65G-TF2-T

 

 
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