TT8M1 Todos los transistores

 

TT8M1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT8M1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8
 

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TT8M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  rohm
 tt8m1.pdf pdf_icon

TT8M1

1.5V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M1 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/ TSST8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package (TSST8).3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol :M01 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage TapingType

 0.1. Size:1303K  rohm
 tt8m11.pdf pdf_icon

TT8M1

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M11 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/TSST8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Low voltage drive(4V drive).3) Small surface mount package(TSST8).Abbreviated symbol : M11 ApplicationSwitching Packaging specificationsInner circuit(8)

Otros transistores... TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , AO4407 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL .

History: FDN86501LZ | HGK012NE6A

 

 
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