TT8M1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT8M1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
Encapsulados: TSST8
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TT8M1 datasheet
tt8m1.pdf
1.5V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSST8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package (TSST8). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol M01 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping Type
tt8m11.pdf
Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M11 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSST8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Low voltage drive(4V drive). 3) Small surface mount package(TSST8). Abbreviated symbol M11 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8)
Otros transistores... TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , IRF530 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL .
History: AOD9T40P
History: AOD9T40P
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