TT8M1 - описание и поиск аналогов

 

TT8M1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TT8M1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm

Тип корпуса: TSST8

Аналог (замена) для TT8M1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8M1 даташит

 ..1. Size:233K  rohm
 tt8m1.pdf pdf_icon

TT8M1

1.5V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSST8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package (TSST8). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol M01 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping Type

 0.1. Size:1303K  rohm
 tt8m11.pdf pdf_icon

TT8M1

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M11 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSST8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Low voltage drive(4V drive). 3) Small surface mount package(TSST8). Abbreviated symbol M11 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8)

Другие MOSFET... TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , IRF530 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL .

History: MTM8N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.