Справочник MOSFET. TT8M1

 

TT8M1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TT8M1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  rohm
 tt8m1.pdf pdf_icon

TT8M1

1.5V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M1 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/ TSST8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package (TSST8).3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol :M01 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage TapingType

 0.1. Size:1303K  rohm
 tt8m11.pdf pdf_icon

TT8M1

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M11 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/TSST8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Low voltage drive(4V drive).3) Small surface mount package(TSST8).Abbreviated symbol : M11 ApplicationSwitching Packaging specificationsInner circuit(8)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF7749L2TR1PBF | SIHG47N60S | PSMN4R1-60YL | 9N95 | IXTV22N60PS | PTP20N50A | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.