TT8M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT8M2
Código: M02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 3.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: TSST8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TT8M2
TT8M2 Datasheet (PDF)
tt8m2.pdf
2.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET TT8M2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSST8Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-state resistance. (1) (2) (3) (4)2) Low voltage drive. 3) High power package. Abbreviated symbol : M02Each lead has same dimensions Application Inner circuit Switching (8) (7) (6) (5)
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Liste
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