Справочник MOSFET. TT8M2

 

TT8M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TT8M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
 

 Аналог (замена) для TT8M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  rohm
 tt8m2.pdf pdf_icon

TT8M2

2.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET TT8M2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSST8Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-state resistance. (1) (2) (3) (4)2) Low voltage drive. 3) High power package. Abbreviated symbol : M02Each lead has same dimensions Application Inner circuit Switching (8) (7) (6) (5)

Другие MOSFET... TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , IRLB4132 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT .

History: HSSC3134 | LSD60R180HT | KRF7104 | FXN4620F | MTP9575J3 | SQJ858AEP | AOB12T60P

 

 
Back to Top

 


 
.