TT8M2 - описание и поиск аналогов

 

TT8M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TT8M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TSST8

Аналог (замена) для TT8M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8M2 даташит

 ..1. Size:194K  rohm
 tt8m2.pdf pdf_icon

TT8M2

2.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET TT8M2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSST8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-state resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Low voltage drive. 3) High power package. Abbreviated symbol M02 Each lead has same dimensions Application Inner circuit Switching (8) (7) (6) (5)

Другие MOSFET... TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , CS150N03A8 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT .

History: SVSP65R110SHD4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.