Справочник MOSFET. TT8M2

 

TT8M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TT8M2
   Маркировка: M02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TSST8

 Аналог (замена) для TT8M2

 

 

TT8M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  rohm
 tt8m2.pdf

TT8M2 TT8M2

2.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET TT8M2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSST8Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-state resistance. (1) (2) (3) (4)2) Low voltage drive. 3) High power package. Abbreviated symbol : M02Each lead has same dimensions Application Inner circuit Switching (8) (7) (6) (5)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top