TT8M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT8M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
Encapsulados: TSST8
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TT8M3 datasheet
tt8m3.pdf
1.5V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M3 Structure Silicon N-channel MOSFET/ Dimensions (Unit mm) TSST8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-state resistance. 2) Low voltage drive(1.5V). (1) (2) (3) (4) 3) High power package. Abbreviated symbol M03 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) T
Otros transistores... TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , NCEP15T14 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL .
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