TT8M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TT8M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TT8M3

TT8M3 Datasheet (PDF)

..1. Size:229K rohm
tt8m3.pdf

1.5V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M3StructureSilicon N-channel MOSFET/ Dimensions (Unit : mm)TSST8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-state resistance.2) Low voltage drive(1.5V). (1) (2) (3) (4)3) High power package.Abbreviated symbol :M03ApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)T

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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