TT8M3 Todos los transistores

 

TT8M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT8M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8
 

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TT8M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  rohm
 tt8m3.pdf pdf_icon

TT8M3

1.5V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M3StructureSilicon N-channel MOSFET/ Dimensions (Unit : mm)TSST8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-state resistance.2) Low voltage drive(1.5V). (1) (2) (3) (4)3) High power package.Abbreviated symbol :M03ApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)T

Otros transistores... TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , IRFP450 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL .

History: UTC654 | SVF13N50S | 2SJ551L | IPB015N08N5

 

 
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