Справочник MOSFET. TT8M3

 

TT8M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TT8M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
 

 Аналог (замена) для TT8M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  rohm
 tt8m3.pdf pdf_icon

TT8M3

1.5V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M3StructureSilicon N-channel MOSFET/ Dimensions (Unit : mm)TSST8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-state resistance.2) Low voltage drive(1.5V). (1) (2) (3) (4)3) High power package.Abbreviated symbol :M03ApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)T

Другие MOSFET... TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , IRFP450 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL .

History: 2SK1424 | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | IRFP9133 | RHP030N03T100 | AM5931P

 

 
Back to Top

 


 
.