Справочник MOSFET. TT8M3

 

TT8M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TT8M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  rohm
 tt8m3.pdf pdf_icon

TT8M3

1.5V Drive Nch + Pch MOSFET TT8M3StructureSilicon N-channel MOSFET/ Dimensions (Unit : mm)TSST8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-state resistance.2) Low voltage drive(1.5V). (1) (2) (3) (4)3) High power package.Abbreviated symbol :M03ApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)T

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2N7002CK | SK860318 | IRF1010ZLPBF | AFC6602 | ZVP2120ASTOB | BVSS84L | IRHYB67130CM

 

 
Back to Top

 


 
.