TT8U1TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TT8U1TR
   Código: U01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TT8U1TR

TT8U1TR Datasheet (PDF)

..1. Size:229K rohm
tt8u1tr.pdf

1.5V Drive Pch +SBD MOSFET TT8U1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diode TSST8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : U01Each lead has same dimensions Applications Switching Inner circuit Packaging specifications (8) (7

9.1. Size:166K rohm
tt8u1.pdf

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Liste

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