TT8U1TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT8U1TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Encapsulados: TSST8
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TT8U1TR datasheet
tt8u1tr.pdf
1.5V Drive Pch +SBD MOSFET TT8U1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diode TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol U01 Each lead has same dimensions Applications Switching Inner circuit Packaging specifications (8) (7
tt8u1.pdf
1.5V Drive Pch +SBD MOSFET TT8U1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diode TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol U01 Each lead has same dimensions Applications Switching Inner circuit Packaging specifications (8) (7
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