TT8U1TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TT8U1TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: TSST8
Аналог (замена) для TT8U1TR
TT8U1TR Datasheet (PDF)
tt8u1tr.pdf

1.5V Drive Pch +SBD MOSFET TT8U1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diode TSST8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : U01Each lead has same dimensions Applications Switching Inner circuit Packaging specifications (8) (7
tt8u1.pdf

1.5V Drive Pch +SBD MOSFET TT8U1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diode TSST8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : U01Each lead has same dimensions Applications Switching Inner circuit Packaging specifications (8) (7
Другие MOSFET... TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , 20N50 , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL .
History: DH045N04P | IRFZ34EPBF | OSG70R280KF
History: DH045N04P | IRFZ34EPBF | OSG70R280KF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147