TT8U1TR - описание и поиск аналогов

 

TT8U1TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TT8U1TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TSST8

Аналог (замена) для TT8U1TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8U1TR даташит

 ..1. Size:229K  rohm
 tt8u1tr.pdf pdf_icon

TT8U1TR

1.5V Drive Pch +SBD MOSFET TT8U1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diode TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol U01 Each lead has same dimensions Applications Switching Inner circuit Packaging specifications (8) (7

 9.1. Size:166K  rohm
 tt8u1.pdf pdf_icon

TT8U1TR

1.5V Drive Pch +SBD MOSFET TT8U1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diode TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol U01 Each lead has same dimensions Applications Switching Inner circuit Packaging specifications (8) (7

Другие MOSFET... TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , STP80NF70 , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL .

History: UPA1819GR | TPC8017-H | AP6P090H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.