Справочник MOSFET. TT8U1TR

 

TT8U1TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TT8U1TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
 

 Аналог (замена) для TT8U1TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8U1TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  rohm
 tt8u1tr.pdf pdf_icon

TT8U1TR

1.5V Drive Pch +SBD MOSFET TT8U1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diode TSST8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : U01Each lead has same dimensions Applications Switching Inner circuit Packaging specifications (8) (7

 9.1. Size:166K  rohm
 tt8u1.pdf pdf_icon

TT8U1TR

1.5V Drive Pch +SBD MOSFET TT8U1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diode TSST8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : U01Each lead has same dimensions Applications Switching Inner circuit Packaging specifications (8) (7

Другие MOSFET... TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , 20N50 , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL .

History: DH045N04P | IRFZ34EPBF | OSG70R280KF

 

 
Back to Top

 


 
.