TT8U2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT8U2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Encapsulados: TSST8
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TT8U2 datasheet
tt8u2.pdf
1.5V Drive Pch +SBD MOSFET TT8U2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diode TSST8 Features (8) (7) (6) (5) 1) Pch MOSFET and shottky barrier diode are put in TSST8 package. 2) High-speed switching and Low on-resistance. 3) Low voltage drive(1.5V). (1) (2) (3) (4) 4) Built in Low IR shottky barierr daiode. Abbreviated symbol U02
Otros transistores... TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , IRFP450 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL , BUK139-50DL .
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