Справочник MOSFET. TT8U2

 

TT8U2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TT8U2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
 

 Аналог (замена) для TT8U2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8U2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  rohm
 tt8u2.pdf pdf_icon

TT8U2

1.5V Drive Pch +SBD MOSFETTT8U2Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diodeTSST8Features(8) (7) (6) (5)1) Pch MOSFET and shottky barrier diode are put in TSST8 package.2) High-speed switching and Low on-resistance.3) Low voltage drive(1.5V). (1) (2) (3) (4)4) Built in Low IR shottky barierr daiode.Abbreviated symbol : U02

Другие MOSFET... TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , IRF1407 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL , BUK139-50DL .

 

 
Back to Top

 


 
.