Справочник MOSFET. TT8U2

 

TT8U2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TT8U2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8U2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  rohm
 tt8u2.pdf pdf_icon

TT8U2

1.5V Drive Pch +SBD MOSFETTT8U2Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diodeTSST8Features(8) (7) (6) (5)1) Pch MOSFET and shottky barrier diode are put in TSST8 package.2) High-speed switching and Low on-resistance.3) Low voltage drive(1.5V). (1) (2) (3) (4)4) Built in Low IR shottky barierr daiode.Abbreviated symbol : U02

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE

 

 
Back to Top

 


 
.