TT8U2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TT8U2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: TSST8
Аналог (замена) для TT8U2
TT8U2 Datasheet (PDF)
tt8u2.pdf

1.5V Drive Pch +SBD MOSFETTT8U2Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diodeTSST8Features(8) (7) (6) (5)1) Pch MOSFET and shottky barrier diode are put in TSST8 package.2) High-speed switching and Low on-resistance.3) Low voltage drive(1.5V). (1) (2) (3) (4)4) Built in Low IR shottky barierr daiode.Abbreviated symbol : U02
Другие MOSFET... TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , IRF1407 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL , BUK139-50DL .
History: FF45MR12W1M1B11 | RU30S4H | YJL2301F | SI2316BDS | SLU60R380S2 | BSC030P03NS3G | SVF10N65F
History: FF45MR12W1M1B11 | RU30S4H | YJL2301F | SI2316BDS | SLU60R380S2 | BSC030P03NS3G | SVF10N65F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870