TT8U2 - описание и поиск аналогов

 

TT8U2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TT8U2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TSST8

Аналог (замена) для TT8U2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8U2 даташит

 ..1. Size:316K  rohm
 tt8u2.pdf pdf_icon

TT8U2

1.5V Drive Pch +SBD MOSFET TT8U2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET / schottky barrier diode TSST8 Features (8) (7) (6) (5) 1) Pch MOSFET and shottky barrier diode are put in TSST8 package. 2) High-speed switching and Low on-resistance. 3) Low voltage drive(1.5V). (1) (2) (3) (4) 4) Built in Low IR shottky barierr daiode. Abbreviated symbol U02

Другие MOSFET... TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , IRFP450 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL , BUK139-50DL .

History: IPA037N08N3G | ME9435AS-G | LSH60R280HT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.