BUK1M200-50SGTD Todos los transistores

 

BUK1M200-50SGTD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK1M200-50SGTD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 9.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-163-1
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUK1M200-50SGTD Datasheet (PDF)

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BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SGTDQuad channel logic level TOPFETRev. 01 31 March 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionQuad temperature and overload protected power switch based on TOPFET Trenchtechnology in a 20-pin surface mount plastic package.Product availability:BUK1M200-50SGTD in SOT163-1 (SO20).1.2 Features Power TrenchMOS 5V logic compatible Overtemperature pro

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BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SDLDQuad channel TOPFETRev. 01 02 April 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionQuad temperature and overload protected logic level power MOSFET in TOPFETtechnology in a 20-pin surface mount plastic package.Product availability:BUK1M200-50SDLD in SOT163-1 (SO20).1.2 Features Power TrenchMOS 5 V logic compatible input level Overtemperature

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History: FDS6679 | NTB75N03-006 | SE3080A | FDW258P | AOD474B | AP4506GEM | IRF7306Q

 

 
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