BUK1M200-50SGTD Todos los transistores

 

BUK1M200-50SGTD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK1M200-50SGTD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 9.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SOT-163-1

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BUK1M200-50SGTD datasheet

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BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SGTD Quad channel logic level TOPFET Rev. 01 31 March 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description Quad temperature and overload protected power switch based on TOPFET Trench technology in a 20-pin surface mount plastic package. Product availability BUK1M200-50SGTD in SOT163-1 (SO20). 1.2 Features Power TrenchMOS 5V logic compatible Overtemperature pro

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BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SDLD Quad channel TOPFET Rev. 01 02 April 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description Quad temperature and overload protected logic level power MOSFET in TOPFET technology in a 20-pin surface mount plastic package. Product availability BUK1M200-50SDLD in SOT163-1 (SO20). 1.2 Features Power TrenchMOS 5 V logic compatible input level Overtemperature

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