Справочник MOSFET. BUK1M200-50SGTD

 

BUK1M200-50SGTD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK1M200-50SGTD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-163-1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK1M200-50SGTD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:295K  philips
 buk1m200-50sgtd.pdf pdf_icon

BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SGTDQuad channel logic level TOPFETRev. 01 31 March 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionQuad temperature and overload protected power switch based on TOPFET Trenchtechnology in a 20-pin surface mount plastic package.Product availability:BUK1M200-50SGTD in SOT163-1 (SO20).1.2 Features Power TrenchMOS 5V logic compatible Overtemperature pro

 6.1. Size:302K  philips
 buk1m200 50sdld.pdf pdf_icon

BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SDLDQuad channel TOPFETRev. 01 02 April 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionQuad temperature and overload protected logic level power MOSFET in TOPFETtechnology in a 20-pin surface mount plastic package.Product availability:BUK1M200-50SDLD in SOT163-1 (SO20).1.2 Features Power TrenchMOS 5 V logic compatible input level Overtemperature

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SUD08P06-155L-E3 | SI7913DN | DMP3056LSD | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.