Справочник MOSFET. BUK1M200-50SGTD

 

BUK1M200-50SGTD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BUK1M200-50SGTD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-163-1

 Аналог (замена) для BUK1M200-50SGTD

 

 

BUK1M200-50SGTD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:295K  philips
 buk1m200-50sgtd.pdf

BUK1M200-50SGTD BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SGTDQuad channel logic level TOPFETRev. 01 31 March 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionQuad temperature and overload protected power switch based on TOPFET Trenchtechnology in a 20-pin surface mount plastic package.Product availability:BUK1M200-50SGTD in SOT163-1 (SO20).1.2 Features Power TrenchMOS 5V logic compatible Overtemperature pro

 6.1. Size:302K  philips
 buk1m200 50sdld.pdf

BUK1M200-50SGTD BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SDLDQuad channel TOPFETRev. 01 02 April 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionQuad temperature and overload protected logic level power MOSFET in TOPFETtechnology in a 20-pin surface mount plastic package.Product availability:BUK1M200-50SDLD in SOT163-1 (SO20).1.2 Features Power TrenchMOS 5 V logic compatible input level Overtemperature

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top