BUK1M200-50SGTD - описание и поиск аналогов

 

BUK1M200-50SGTD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK1M200-50SGTD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: SOT-163-1

Аналог (замена) для BUK1M200-50SGTD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK1M200-50SGTD даташит

 0.1. Size:295K  philips
buk1m200-50sgtd.pdfpdf_icon

BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SGTD Quad channel logic level TOPFET Rev. 01 31 March 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description Quad temperature and overload protected power switch based on TOPFET Trench technology in a 20-pin surface mount plastic package. Product availability BUK1M200-50SGTD in SOT163-1 (SO20). 1.2 Features Power TrenchMOS 5V logic compatible Overtemperature pro

 6.1. Size:302K  philips
buk1m200 50sdld.pdfpdf_icon

BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SDLD Quad channel TOPFET Rev. 01 02 April 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description Quad temperature and overload protected logic level power MOSFET in TOPFET technology in a 20-pin surface mount plastic package. Product availability BUK1M200-50SDLD in SOT163-1 (SO20). 1.2 Features Power TrenchMOS 5 V logic compatible input level Overtemperature

Другие MOSFET... BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL , BUK139-50DL , 5N60 , BUK452-100B , BUK455-100B , BUK455-200B , BUK456-100B , BUK472-100A , BUK472-100B , BUK543-100B , BUK553-100B .

History: IMZ120R060M1H | BLF7G24LS-140 | ME8205B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.