Справочник MOSFET. BUK1M200-50SGTD

 

BUK1M200-50SGTD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK1M200-50SGTD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-163-1
 

 Аналог (замена) для BUK1M200-50SGTD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK1M200-50SGTD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:295K  philips
 buk1m200-50sgtd.pdf pdf_icon

BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SGTDQuad channel logic level TOPFETRev. 01 31 March 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionQuad temperature and overload protected power switch based on TOPFET Trenchtechnology in a 20-pin surface mount plastic package.Product availability:BUK1M200-50SGTD in SOT163-1 (SO20).1.2 Features Power TrenchMOS 5V logic compatible Overtemperature pro

 6.1. Size:302K  philips
 buk1m200 50sdld.pdf pdf_icon

BUK1M200-50SGTD

BUK1M200-50SDLDQuad channel TOPFETRev. 01 02 April 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionQuad temperature and overload protected logic level power MOSFET in TOPFETtechnology in a 20-pin surface mount plastic package.Product availability:BUK1M200-50SDLD in SOT163-1 (SO20).1.2 Features Power TrenchMOS 5 V logic compatible input level Overtemperature

Другие MOSFET... BUK104-50S , BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL , BUK139-50DL , 13N50 , BUK452-100B , BUK455-100B , BUK455-200B , BUK456-100B , BUK472-100A , BUK472-100B , BUK543-100B , BUK553-100B .

History: 19N10G-TF3-T | AOD474B | AP6900GSM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.