BUK6C2R1-55C Todos los transistores

 

BUK6C2R1-55C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK6C2R1-55C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 228 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 206 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1075 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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BUK6C2R1-55C Datasheet (PDF)

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BUK6C2R1-55C

BUK6C2R1-55CN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 3 18 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

 9.1. Size:188K  nxp
 buk6c3r3-75c.pdf pdf_icon

BUK6C2R1-55C

BUK6C3R3-75CN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 3 18 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

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History: MCG10P03 | AP92T12GI-HF | APM7314 | GSM2301AS | AOTF11N62 | AOT284L | 2SK3437

 

 
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