BUK6C2R1-55C - аналоги и даташиты транзистора

 

BUK6C2R1-55C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUK6C2R1-55C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 228 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 206 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1075 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для BUK6C2R1-55C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK6C2R1-55C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  nxp
 buk6c2r1-55c.pdf pdf_icon

BUK6C2R1-55C

BUK6C2R1-55CN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 3 18 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

 9.1. Size:188K  nxp
 buk6c3r3-75c.pdf pdf_icon

BUK6C2R1-55C

BUK6C3R3-75CN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 3 18 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

Другие MOSFET... BUK553-100B , BUK553-60A , BUK553-60B , BUK555-200B , BUK6207-30C , BUK6208-40C , BUK6240-75C , BUK652R7-30C , IRF1405 , BUK6C3R3-75C , BUK7213-40A , BUK7505-30A , BUK7514-60E , BUK751R6-30E , BUK751R8-40E , BUK7524-55A , BUK752R3-40E .

 

 
Back to Top

 


 
.