BUK6C2R1-55C - описание и поиск аналогов

 

BUK6C2R1-55C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK6C2R1-55C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 228 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 206 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1075 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK6C2R1-55C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK6C2R1-55C даташит

 ..1. Size:185K  nxp
 buk6c2r1-55c.pdf pdf_icon

BUK6C2R1-55C

BUK6C2R1-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 3 18 January 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

 9.1. Size:188K  nxp
 buk6c3r3-75c.pdf pdf_icon

BUK6C2R1-55C

BUK6C3R3-75C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 3 18 January 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

Другие MOSFET... BUK553-100B , BUK553-60A , BUK553-60B , BUK555-200B , BUK6207-30C , BUK6208-40C , BUK6240-75C , BUK652R7-30C , STP65NF06 , BUK6C3R3-75C , BUK7213-40A , BUK7505-30A , BUK7514-60E , BUK751R6-30E , BUK751R8-40E , BUK7524-55A , BUK752R3-40E .

History: BUK6208-40C | TPC8024-H | TPCA8015-H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.