BUK6C3R3-75C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK6C3R3-75C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 2.8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 181 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.8 V
Carga de la puerta (Qg): 253 nC
Tiempo de subida (tr): 217 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 873 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0034 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK6C3R3-75C
BUK6C3R3-75C Datasheet (PDF)
buk6c3r3-75c.pdf
BUK6C3R3-75CN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 3 18 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au
buk6c2r1-55c.pdf
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