BUK6C3R3-75C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK6C3R3-75C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 2.8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 181 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: 253 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 217 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 873 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK6C3R3-75C
BUK6C3R3-75C Datasheet (PDF)
buk6c3r3-75c.pdf
BUK6C3R3-75CN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 3 18 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au
buk6c2r1-55c.pdf
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Liste
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