BUK6C3R3-75C Todos los transistores

 

BUK6C3R3-75C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK6C3R3-75C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 2.8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 181 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 217 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 873 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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BUK6C3R3-75C datasheet

 ..1. Size:188K  nxp
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BUK6C3R3-75C

BUK6C3R3-75C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 3 18 January 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

 9.1. Size:185K  nxp
buk6c2r1-55c.pdf pdf_icon

BUK6C3R3-75C

BUK6C2R1-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 3 18 January 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

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History: BUZ73LH

 

 

 


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