Справочник MOSFET. BUK6C3R3-75C

 

BUK6C3R3-75C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BUK6C3R3-75C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 2.8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 181 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 253 nC
   trⓘ - Время нарастания: 217 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 873 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для BUK6C3R3-75C

 

 

BUK6C3R3-75C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  nxp
 buk6c3r3-75c.pdf

BUK6C3R3-75C BUK6C3R3-75C

BUK6C3R3-75CN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 3 18 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

 9.1. Size:185K  nxp
 buk6c2r1-55c.pdf

BUK6C3R3-75C BUK6C3R3-75C

BUK6C2R1-55CN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 3 18 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top