BUZ101S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ101S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 55 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 17 nC

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ101S

BUZ101S Datasheet (PDF)

1.1. buz101sl.pdf Size:88K _update_mosfet

BUZ 101 SL SPP20N05L SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Logic Level • Avalanche-rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 101 SL 55 V 20 A 0.07 Ω TO-220 AB Q67040-S4012-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain cur

1.2. buz101s.pdf Size:68K _update_mosfet

BUZ 101 S Preliminary data SPP22N05 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 101 S 55 V 22 A 0.06 Ω TO-220 AB Q67040-S4013-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25 °C 22 TC

1.3. buz101sl.pdf Size:108K _infineon

BUZ 101SL SIPMOS? Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS � N channel Drain-Source on-state resistance 0.04 RDS(on) ? � Enhancement mode Continuous drain current 20 A ID � Avalanche rated � Logic Level � dv/dt rated � 175?C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ101SL P-TO220-3-1 Q67040-S4012-A2 Tube

1.4. buz101s.pdf Size:131K _infineon

BUZ 101S SIPMOS? PowerTransistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS � N channel Drain-Source on-state resistance 0.05 RDS(on) ? � Enhancement mode Continuous drain current 22 A ID � Avalanche rated � dv/dt rated � 175 ?C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ101S P-TO220-3-1 Q67040-S4013-A2 Tube BUZ101S E3045A P

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: