Справочник MOSFET. BUZ101S

 

BUZ101S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: BUZ101S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 17 nC

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 170 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для BUZ101S

 

 

BUZ101S Datasheet (PDF)

1.1. buz101sl.pdf Size:88K _update_mosfet

BUZ101S BUZ101S

BUZ 101 SL SPP20N05L SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Logic Level • Avalanche-rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 101 SL 55 V 20 A 0.07 Ω TO-220 AB Q67040-S4012-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain cur

1.2. buz101s.pdf Size:68K _update_mosfet

BUZ101S BUZ101S

BUZ 101 S Preliminary data SPP22N05 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 101 S 55 V 22 A 0.06 Ω TO-220 AB Q67040-S4013-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25 °C 22 TC

 1.3. buz101sl.pdf Size:108K _infineon

BUZ101S BUZ101S

BUZ 101SL SIPMOS? Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.04 RDS(on) ? Enhancement mode Continuous drain current 20 A ID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175?C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ101SL P-TO220-3-1 Q67040-S4012-A2 Tube

1.4. buz101s.pdf Size:131K _infineon

BUZ101S BUZ101S

BUZ 101S SIPMOS? PowerTransistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.05 RDS(on) ? Enhancement mode Continuous drain current 22 A ID Avalanche rated dv/dt rated 175 ?C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ101S P-TO220-3-1 Q67040-S4013-A2 Tube BUZ101S E3045A P

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top