BUZ101S - описание и поиск аналогов

 

Аналоги BUZ101S. Основные параметры


   Наименование производителя: BUZ101S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUZ101S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ101S даташит

 ..1. Size:68K  siemens
buz101s spp22n05.pdfpdf_icon

BUZ101S

BUZ 101 S Preliminary data SPP22N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 101 S 55 V 22 A 0.06 TO-220 AB Q67040-S4013-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25 C 22 TC

 ..2. Size:131K  infineon
buz101s.pdfpdf_icon

BUZ101S

BUZ 101S SIPMOS PowerTransistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.05 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 22 A ID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ101S P-TO220-3-1 Q67040-S4013-A2 Tube

 0.1. Size:88K  siemens
buz101sl spp20n05l.pdfpdf_icon

BUZ101S

BUZ 101 SL SPP20N05L SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 101 SL 55 V 20 A 0.07 TO-220 AB Q67040-S4012-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain cur

 0.2. Size:108K  infineon
buz101sl.pdfpdf_icon

BUZ101S

BUZ 101SL SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.04 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 20 A ID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ101SL P-TO220-3-1 Q

Другие MOSFET... BUK9Y8R5-80E , BUK9Y8R7-60E , BUZ100 , BUZ100L , BUZ100S , BUZ100SL-4 , BUZ101 , BUZ101L , IRF830 , BUZ101SL , BUZ102 , BUZ102AL , BUZ102S , BUZ102SL , BUZ102SL-4 , BUZ103 , BUZ103S-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.