BUZ102S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ102S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de BUZ102S MOSFET
BUZ102S Datasheet (PDF)
buz102s.pdf

BUZ 102 SSPP52N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 102 S 55 V 52 A 0.023 TO-220 AB Q67040-S4011-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25
buz102s.pdf

BUZ 102SSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.018RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 52 AID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ102S P-TO220-3-1 Q67040-S4011-A2 Tu
buz102sl-4.pdf

BUZ 102SL-4Preliminary dataSIPMOS Power Transistor Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated dv/dt ratedType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 102SL-4 55 V 6.2 A 0.033 P-DSO-28 C67078-S. . . .- . . Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current one channel active ID ATA = 25 C 6.2Pulsed drain current
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Liste
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