BUZ102S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ102S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de BUZ102S MOSFET
Principales características: BUZ102S
buz102s.pdf
BUZ 102 S SPP52N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 102 S 55 V 52 A 0.023 TO-220 AB Q67040-S4011-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25
buz102s.pdf
BUZ 102S SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.018 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 52 A ID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ102S P-TO220-3-1 Q67040-S4011-A2 Tu
buz102sl-4.pdf
BUZ 102SL-4 Preliminary data SIPMOS Power Transistor Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated dv/dt rated Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 102SL-4 55 V 6.2 A 0.033 P-DSO-28 C67078-S. . . .- . . Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current one channel active ID A TA = 25 C 6.2 Pulsed drain current
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Liste
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