BUZ102S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUZ102S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
BUZ102S Datasheet (PDF)
buz102s.pdf
BUZ 102 SSPP52N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 102 S 55 V 52 A 0.023 TO-220 AB Q67040-S4011-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25
buz102s.pdf
BUZ 102SSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.018RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 52 AID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ102S P-TO220-3-1 Q67040-S4011-A2 Tu
buz102sl-4.pdf
BUZ 102SL-4Preliminary dataSIPMOS Power Transistor Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated dv/dt ratedType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 102SL-4 55 V 6.2 A 0.033 P-DSO-28 C67078-S. . . .- . . Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current one channel active ID ATA = 25 C 6.2Pulsed drain current
buz102al.pdf
BUZ 102ALSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level dv/dt rated Low on-resistance 175 C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3 also in TO-220 SMD availableG D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 102AL 50 V 42 A 0.028 TO-220 AB C67078-S1356-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitC
buz102.pdf
BUZ 102SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated Low on-resistance 175C operating temperature also in TO-220 SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 102 50 V 42 A 0.023 TO-220 AB C67078-S1351-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain curren
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918