BUZ11AL Todos los transistores

 

BUZ11AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ11AL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 26 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Tiempo de elevación (tr): 80 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 580 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.055 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ11AL

 

BUZ11AL Datasheet (PDF)

1.1. buz11al.pdf Size:332K _update_mosfet

BUZ11AL
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4.1. buz11a.pdf Size:116K _st

BUZ11AL
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BUZ11A N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ11A 50 V < 0.055 ? 27 A TYPICAL RDS(on) = 0.048 ? AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW GATE CHARGE 3 HIGH CURRENT CAPABILITY 2 1 175oC OPERATING TEMPERATURE APPLICATIONS TO-220 HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING SOLENOID AND RELAY DRIVE

4.2. buz11a.pdf Size:229K _inchange_semiconductor

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isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ11A ·FEATURES ·Static Drain-Source On-Resistance : R = 0.055Ω(Max) DS(on) ·Avalanche rugged technology ·High current capability ·175℃ Operating Temperature ·High speed switching ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·High current,high speed switching ·Solenoid and relay drivers

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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