BUZ11AL - описание и поиск аналогов

 

Аналоги BUZ11AL. Основные параметры


   Наименование производителя: BUZ11AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUZ11AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ11AL даташит

 ..1. Size:332K  siemens
buz11al.pdfpdf_icon

BUZ11AL

 8.1. Size:116K  st
buz11a.pdfpdf_icon

BUZ11AL

BUZ11A N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ11A 50 V

 8.2. Size:229K  inchange semiconductor
buz11a.pdfpdf_icon

BUZ11AL

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ11A FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.055 (Max) DS(on) Avalanche rugged technology High current capability 175 Operating Temperature High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High current,high speed switching Solenoid and relay drivers

 9.1. Size:173K  st
buz11.pdfpdf_icon

BUZ11AL

BUZ11 BUZ11FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ11 50 V

Другие MOSFET... BUZ104 , BUZ104L , BUZ104S , BUZ10L , BUZ10S2 , BUZ110S , BUZ111S , BUZ111SL , IRF840 , BUZ12 , BUZ12A , BUZ171 , BUZ201 , BUZ202 , BUZ206 , BUZ210 , BUZ215 .

 

 
Back to Top

 


 
.