BUZ201 Todos los transistores

 

BUZ201 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ201
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AA
 

 Búsqueda de reemplazo de BUZ201 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUZ201 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  siemens
buz201.pdf pdf_icon

BUZ201

 ..2. Size:223K  inchange semiconductor
buz201.pdf pdf_icon

BUZ201

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ201FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh input impedanceHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,rela

 9.1. Size:273K  st
buz20.pdf pdf_icon

BUZ201

 9.2. Size:186K  siemens
buz202.pdf pdf_icon

BUZ201

Otros transistores... BUZ10S2 , BUZ110S , BUZ111S , BUZ111SL , BUZ11AL , BUZ12 , BUZ12A , BUZ171 , 50N06 , BUZ202 , BUZ206 , BUZ210 , BUZ215 , BUZ216 , BUZ21L , BUZ22 , BUZ220 .

History: WM10N33M | TK19H50C

 

 
Back to Top

 


 
.