Справочник MOSFET. BUZ201

 

BUZ201 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ201
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA
 

 Аналог (замена) для BUZ201

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ201 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  siemens
buz201.pdfpdf_icon

BUZ201

 ..2. Size:223K  inchange semiconductor
buz201.pdfpdf_icon

BUZ201

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ201FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh input impedanceHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,rela

 9.1. Size:273K  st
buz20.pdfpdf_icon

BUZ201

 9.2. Size:186K  siemens
buz202.pdfpdf_icon

BUZ201

Другие MOSFET... BUZ10S2 , BUZ110S , BUZ111S , BUZ111SL , BUZ11AL , BUZ12 , BUZ12A , BUZ171 , 50N06 , BUZ202 , BUZ206 , BUZ210 , BUZ215 , BUZ216 , BUZ21L , BUZ22 , BUZ220 .

History: WM10N33M | TK19H50C

 

 
Back to Top

 


 
.