Справочник MOSFET. BUZ201

 

BUZ201 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ201
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ201 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  siemens
buz201.pdfpdf_icon

BUZ201

 ..2. Size:223K  inchange semiconductor
buz201.pdfpdf_icon

BUZ201

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ201FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh input impedanceHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,rela

 9.1. Size:273K  st
buz20.pdfpdf_icon

BUZ201

 9.2. Size:186K  siemens
buz202.pdfpdf_icon

BUZ201

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: OSG60R900AF | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | TSM3462CX6 | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.