NDB710A Todos los transistores

 

NDB710A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDB710A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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NDB710A datasheet

 0.1. Size:58K  fairchild semi
 ndb710ae ndb710b ndb710be ndp710ae ndp710b ndp710be.pdf pdf_icon

NDB710A

May 1994 NDP710A / NDP710AE / NDP710B / NDP710BE NDB710A / NDB710AE / NDB710B / NDB710BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-channel enhancement mode power field 42 and 40A, 100V. RDS(ON) = 0.038 and 0.042 . effect transistors are produced using Fairchild's Critical DC electrical parameters specified at proprietary, high cell den

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