Аналоги NDB710A. Основные параметры
Наименование производителя: NDB710A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для NDB710A
NDB710A даташит
ndb710ae ndb710b ndb710be ndp710ae ndp710b ndp710be.pdf
May 1994 NDP710A / NDP710AE / NDP710B / NDP710BE NDB710A / NDB710AE / NDB710B / NDB710BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-channel enhancement mode power field 42 and 40A, 100V. RDS(ON) = 0.038 and 0.042 . effect transistors are produced using Fairchild's Critical DC electrical parameters specified at proprietary, high cell den
Другие MOSFET... NDB7051L , NDB7052 , NDB7052L , NDB7060 , NDB7060L , NDB7061 , NDB7061L , NDB708A , IRF1404 , NDC631N , NDC632P , NDC651N , NDC652P , NDC7002N , NDC7003P , NDH8301N , NDH8302P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APP540 | APP50N06 | APG250N01Q | APG095N01K | APG095N01 | APG082N01 | APG080N12 | APG078N07K | APG078N07 | APG070N12G | APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10
Popular searches
2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198


