Справочник MOSFET. NDB710A

 

NDB710A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDB710A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для NDB710A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDB710A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:58K  fairchild semi
 ndb710ae ndb710b ndb710be ndp710ae ndp710b ndp710be.pdf pdf_icon

NDB710A

May 1994 NDP710A / NDP710AE / NDP710B / NDP710BENDB710A / NDB710AE / NDB710B / NDB710BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field42 and 40A, 100V. RDS(ON) = 0.038 and 0.042. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

Другие MOSFET... NDB7051L , NDB7052 , NDB7052L , NDB7060 , NDB7060L , NDB7061 , NDB7061L , NDB708A , IRF1404 , NDC631N , NDC632P , NDC651N , NDC652P , NDC7002N , NDC7003P , NDH8301N , NDH8302P .

History: BUZ11AL | APT1003RKLLG | STP78N75F4 | STB150NF55 | JCS10N70CH | NDS9410A | FQAF14N30

 

 
Back to Top

 


 
.