NDB710A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDB710A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038 Ohm
Тип корпуса: TO263
NDB710A Datasheet (PDF)
0.1. Size:58K fairchild semi
ndb710ae ndb710b ndb710be ndp710ae ndp710b ndp710be.pdf
ndb710ae ndb710b ndb710be ndp710ae ndp710b ndp710be.pdf
May 1994 NDP710A / NDP710AE / NDP710B / NDP710BENDB710A / NDB710AE / NDB710B / NDB710BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field42 and 40A, 100V. RDS(ON) = 0.038 and 0.042. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den
Другие MOSFET... NDB7051L , NDB7052 , NDB7052L , NDB7060 , NDB7060L , NDB7061 , NDB7061L , NDB708A , IRFZ44 , NDC631N , NDC632P , NDC651N , NDC652P , NDC7002N , NDC7003P , NDH8301N , NDH8302P .
