BUZ22 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUZ22
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ22

BUZ22 Datasheet (PDF)

..1. Size:85K infineon
buz22.pdf

BUZ 22 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 22 100 V 34 A 0.055 TO-220 AB C67078-S1333-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 27 C 34Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 136Avalanche current,limited by Tjmax I

..2. Size:228K inchange semiconductor
buz22.pdf

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ22FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.055(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh input impedanceHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,rel

0.1. Size:181K siemens
buz221.pdf