BUZ22 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ22

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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BUZ22 datasheet

 ..1. Size:85K  infineon
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BUZ22

BUZ 22 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 22 100 V 34 A 0.055 TO-220 AB C67078-S1333-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 27 C 34 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 136 Avalanche current,limited by Tjmax I

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
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BUZ22

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ22 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.055 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High input impedance High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,rel

 0.1. Size:181K  siemens
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BUZ22

 0.2. Size:174K  siemens
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BUZ22

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