BUZ22 Todos los transistores

 

BUZ22 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ22
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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BUZ22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  infineon
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BUZ22

BUZ 22 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 22 100 V 34 A 0.055 TO-220 AB C67078-S1333-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 27 C 34Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 136Avalanche current,limited by Tjmax I

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
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BUZ22

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ22FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.055(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh input impedanceHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,rel

 0.1. Size:181K  siemens
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BUZ22

 0.2. Size:174K  siemens
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History: S60N18RN | CEP703AL | 2SK796A | IPD60R180P7 | BSC082N10LSG | IPB45N04S4L-08 | JCS7N60V

 

 
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