BUZ22. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ22

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для BUZ22

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ22 даташит

 ..1. Size:85K  infineon
 buz22.pdf pdf_icon

BUZ22

BUZ 22 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 22 100 V 34 A 0.055 TO-220 AB C67078-S1333-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 27 C 34 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 136 Avalanche current,limited by Tjmax I

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
 buz22.pdf pdf_icon

BUZ22

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ22 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.055 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High input impedance High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,rel

 0.1. Size:181K  siemens
 buz221.pdf pdf_icon

BUZ22

 0.2. Size:174K  siemens
 buz220.pdf pdf_icon

BUZ22

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUZ171, BUZ201, BUZ202, BUZ206, BUZ210, BUZ215, BUZ216, BUZ21L, IRF640N, BUZ220, BUZ221, BUZ231, BUZ255, BUZ272, BUZ305, BUZ307, BUZ308