BUZ221 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ221
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Tiempo de elevación (tr): 90 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-204AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ221
BUZ221 Datasheet (PDF)
1.1. buz221.pdf 
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BUZ 22 ® SIPMOS Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 22 100 V 34 A 0.055 Ω TO-220 AB C67078-S1333-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 27 ˚C 34 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 ˚C 136 Avalanche current,limited by Tjmax I
5.3. buz22.pdf Size:86K _infineon
BUZ 22 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 22 100 V 34 A 0.055 ? TO-220 AB C67078-S1333-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 27 ?C 34 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 ?C 136 Avalanche current,limited by Tjmax IAR 34 Avalanc
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