BUZ221 Todos los transistores

 

BUZ221 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ221

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 90 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-204AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ221

 

BUZ221 Datasheet (PDF)

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5.1. buz220.pdf Size:174K _update_mosfet

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5.2. buz22.pdf Size:85K _update_mosfet

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BUZ 22 ® SIPMOS Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 22 100 V 34 A 0.055 Ω TO-220 AB C67078-S1333-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 27 ˚C 34 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 ˚C 136 Avalanche current,limited by Tjmax I

 5.3. buz22.pdf Size:86K _infineon

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BUZ 22 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 22 100 V 34 A 0.055 ? TO-220 AB C67078-S1333-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 27 ?C 34 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 ?C 136 Avalanche current,limited by Tjmax IAR 34 Avalanc

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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