Справочник MOSFET. BUZ221

 

BUZ221 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ221
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA
 

 Аналог (замена) для BUZ221

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ221 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  siemens
buz221.pdfpdf_icon

BUZ221

 9.1. Size:174K  siemens
buz220.pdfpdf_icon

BUZ221

 9.2. Size:85K  infineon
buz22.pdfpdf_icon

BUZ221

BUZ 22 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 22 100 V 34 A 0.055 TO-220 AB C67078-S1333-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 27 C 34Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 136Avalanche current,limited by Tjmax I

 9.3. Size:228K  inchange semiconductor
buz22.pdfpdf_icon

BUZ221

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ22FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.055(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh input impedanceHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,rel

Другие MOSFET... BUZ202 , BUZ206 , BUZ210 , BUZ215 , BUZ216 , BUZ21L , BUZ22 , BUZ220 , IRF3710 , BUZ231 , BUZ255 , BUZ272 , BUZ305 , BUZ307 , BUZ308 , BUZ30A , BUZ31 .

History: FQP9N15 | NCE60P14K | STP4N80K5 | STB13NM50N-1

 

 
Back to Top

 


 
.