BUZ221. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ221

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-204AA

Аналог (замена) для BUZ221

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ221 даташит

 ..1. Size:181K  siemens
 buz221.pdf pdf_icon

BUZ221

 9.1. Size:174K  siemens
 buz220.pdf pdf_icon

BUZ221

 9.2. Size:85K  infineon
 buz22.pdf pdf_icon

BUZ221

BUZ 22 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 22 100 V 34 A 0.055 TO-220 AB C67078-S1333-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 27 C 34 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 136 Avalanche current,limited by Tjmax I

 9.3. Size:228K  inchange semiconductor
 buz22.pdf pdf_icon

BUZ221

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ22 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.055 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High input impedance High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,rel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUZ202, BUZ206, BUZ210, BUZ215, BUZ216, BUZ21L, BUZ22, BUZ220, AO3400, BUZ231, BUZ255, BUZ272, BUZ305, BUZ307, BUZ308, BUZ30A, BUZ31