BUZ272 Todos los transistores

 

BUZ272 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ272
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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BUZ272 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  siemens
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BUZ272

BUZ 272SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C -15Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -60Avalanche energy, single pulse EAS m

 ..2. Size:88K  infineon
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BUZ272

BUZ 272SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C -15Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -60Avalanche energy, single pulse EAS m

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