BUZ272 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ272

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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BUZ272 datasheet

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BUZ272

BUZ 272 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25 C -15 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -60 Avalanche energy, single pulse EAS m

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BUZ272

BUZ 272 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25 C -15 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -60 Avalanche energy, single pulse EAS m

Otros transistores... BUZ215, BUZ216, BUZ21L, BUZ22, BUZ220, BUZ221, BUZ231, BUZ255, 10N60, BUZ305, BUZ307, BUZ308, BUZ30A, BUZ31, BUZ310, BUZ31L, BUZ323