Справочник MOSFET. BUZ272

 

BUZ272 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BUZ272
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для BUZ272

 

 

BUZ272 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  siemens
 buz272.pdf

BUZ272 BUZ272

BUZ 272SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C -15Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -60Avalanche energy, single pulse EAS m

 ..2. Size:88K  infineon
 buz272.pdf

BUZ272 BUZ272

BUZ 272SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C -15Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -60Avalanche energy, single pulse EAS m

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top