BUZ272. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ272

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для BUZ272

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ272 даташит

 ..1. Size:139K  siemens
 buz272.pdf pdf_icon

BUZ272

BUZ 272 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25 C -15 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -60 Avalanche energy, single pulse EAS m

 ..2. Size:88K  infineon
 buz272.pdf pdf_icon

BUZ272

BUZ 272 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25 C -15 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -60 Avalanche energy, single pulse EAS m

Другие IGBT... BUZ215, BUZ216, BUZ21L, BUZ22, BUZ220, BUZ221, BUZ231, BUZ255, 10N60, BUZ305, BUZ307, BUZ308, BUZ30A, BUZ31, BUZ310, BUZ31L, BUZ323