BUZ272 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BUZ272
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BUZ272 Datasheet (PDF)
buz272.pdf

BUZ 272SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C -15Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -60Avalanche energy, single pulse EAS m
buz272.pdf

BUZ 272SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C -15Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -60Avalanche energy, single pulse EAS m
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c