BUZ272 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BUZ272
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для BUZ272
BUZ272 Datasheet (PDF)
buz272.pdf

BUZ 272SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C -15Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -60Avalanche energy, single pulse EAS m
buz272.pdf

BUZ 272SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 272 -100 V -15 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1454-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C -15Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -60Avalanche energy, single pulse EAS m
Другие MOSFET... BUZ215 , BUZ216 , BUZ21L , BUZ22 , BUZ220 , BUZ221 , BUZ231 , BUZ255 , IRFB4227 , BUZ305 , BUZ307 , BUZ308 , BUZ30A , BUZ31 , BUZ310 , BUZ31L , BUZ323 .
History: DH50N15 | JCS7N65BE | STG8810A | AP9440GYT-HF | SL2302M | SL2309A
History: DH50N15 | JCS7N65BE | STG8810A | AP9440GYT-HF | SL2302M | SL2309A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c