NDC631N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDC631N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SUPERSOT6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDC631N
NDC631N Datasheet (PDF)
9.1. Size:80K fairchild semi
ndc632p.pdf
ndc632p.pdf
June1996 NDC632P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese P-Channel logic level enhancement mode-2.7A, -20V. RDS(ON) = 0.14 @ VGS = -4.5Vpower field effect transistors are produced using RDS(ON) = 0.2 @ VGS = -2.7V.Fairchild's proprietary, high cell density, DMOStechnology. This very high density process is Propriet
Otros transistores... NDB7052 , NDB7052L , NDB7060 , NDB7060L , NDB7061 , NDB7061L , NDB708A , NDB710A , IRF640 , NDC632P , NDC651N , NDC652P , NDC7002N , NDC7003P , NDH8301N , NDH8302P , NDH8303N .
