NDC631N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDC631N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SUPERSOT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDC631N

NDC631N Datasheet (PDF)

9.1. Size:80K fairchild semi
ndc632p.pdf

June1996 NDC632P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese P-Channel logic level enhancement mode-2.7A, -20V. RDS(ON) = 0.14 @ VGS = -4.5Vpower field effect transistors are produced using RDS(ON) = 0.2 @ VGS = -2.7V.Fairchild's proprietary, high cell density, DMOStechnology. This very high density process is Propriet

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Liste

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