Справочник MOSFET. NDC631N

 

NDC631N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDC631N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSOT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NDC631N Datasheet (PDF)

 9.1. Size:80K  fairchild semi
 ndc632p.pdf pdf_icon

NDC631N

June1996 NDC632P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese P-Channel logic level enhancement mode-2.7A, -20V. RDS(ON) = 0.14 @ VGS = -4.5Vpower field effect transistors are produced using RDS(ON) = 0.2 @ VGS = -2.7V.Fairchild's proprietary, high cell density, DMOStechnology. This very high density process is Propriet

Другие MOSFET... NDB7052 , NDB7052L , NDB7060 , NDB7060L , NDB7061 , NDB7061L , NDB708A , NDB710A , IRF640N , NDC632P , NDC651N , NDC652P , NDC7002N , NDC7003P , NDH8301N , NDH8302P , NDH8303N .

 

 
Back to Top

 


 
.