NDC632P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDC632P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 8.7 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: SUPERSOT6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDC632P
NDC632P Datasheet (PDF)
ndc632p.pdf
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June1996 NDC632P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese P-Channel logic level enhancement mode-2.7A, -20V. RDS(ON) = 0.14 @ VGS = -4.5Vpower field effect transistors are produced using RDS(ON) = 0.2 @ VGS = -2.7V.Fairchild's proprietary, high cell density, DMOStechnology. This very high density process is Propriet
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