NDC632P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDC632P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SUPERSOT6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDC632P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDC632P даташит

 ..1. Size:80K  fairchild semi
 ndc632p.pdf pdf_icon

NDC632P

June1996 NDC632P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These P-Channel logic level enhancement mode -2.7A, -20V. RDS(ON) = 0.14 @ VGS = -4.5V power field effect transistors are produced using RDS(ON) = 0.2 @ VGS = -2.7V. Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is Propriet

Другие IGBT... NDB7052L, NDB7060, NDB7060L, NDB7061, NDB7061L, NDB708A, NDB710A, NDC631N, 2N7002, NDC651N, NDC652P, NDC7002N, NDC7003P, NDH8301N, NDH8302P, NDH8303N, NDH8304P