Справочник MOSFET. NDC632P

 

NDC632P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDC632P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSOT6
 

 Аналог (замена) для NDC632P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDC632P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  fairchild semi
 ndc632p.pdf pdf_icon

NDC632P

June1996 NDC632P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese P-Channel logic level enhancement mode-2.7A, -20V. RDS(ON) = 0.14 @ VGS = -4.5Vpower field effect transistors are produced using RDS(ON) = 0.2 @ VGS = -2.7V.Fairchild's proprietary, high cell density, DMOStechnology. This very high density process is Propriet

Другие MOSFET... NDB7052L , NDB7060 , NDB7060L , NDB7061 , NDB7061L , NDB708A , NDB710A , NDC631N , IRF640N , NDC651N , NDC652P , NDC7002N , NDC7003P , NDH8301N , NDH8302P , NDH8303N , NDH8304P .

History: NCEP023NH85AGU | NP80N03NDE | ME25N15AL | FS14SM-9 | FQAF16N25 | 11N10 | SVT3025D4

 

 
Back to Top

 


 
.