NDC651N Todos los transistores

 

NDC651N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDC651N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPERSOT6
 

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NDC651N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  fairchild semi
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NDC651N

March 1996 NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese N-Channel logic level enhancement mode power field3.2A, 30V. RDS(ON) = 0.09 @ VGS = 4.5Veffect transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.06 @ VGS = 10V.high cell density, DMOS technology. This very high densityprocess is tailored t

Otros transistores... NDB7060 , NDB7060L , NDB7061 , NDB7061L , NDB708A , NDB710A , NDC631N , NDC632P , IRF630 , NDC652P , NDC7002N , NDC7003P , NDH8301N , NDH8302P , NDH8303N , NDH8304P , NDH831N .

History: STP26N60M2 | NCE0110AS | LNG045R090 | AP10TN030M | 5N60G-TF1-T | IRFHM8228 | SKST065N08N

 

 
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