Справочник MOSFET. NDC651N

 

NDC651N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDC651N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSOT6
 

 Аналог (замена) для NDC651N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDC651N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  fairchild semi
 ndc651n.pdf pdf_icon

NDC651N

March 1996 NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese N-Channel logic level enhancement mode power field3.2A, 30V. RDS(ON) = 0.09 @ VGS = 4.5Veffect transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.06 @ VGS = 10V.high cell density, DMOS technology. This very high densityprocess is tailored t

Другие MOSFET... NDB7060 , NDB7060L , NDB7061 , NDB7061L , NDB708A , NDB710A , NDC631N , NDC632P , IRF630 , NDC652P , NDC7002N , NDC7003P , NDH8301N , NDH8302P , NDH8303N , NDH8304P , NDH831N .

History: WMO100N07T1 | NTMFS5C604NLT3G | NTMFS5C645NLT1G | FDMS015N04B | FDMS86300DC | NCEP0260D | RJK0225DNS

 

 
Back to Top

 


 
.