NDC651N - описание и поиск аналогов

 

Аналоги NDC651N. Основные параметры


   Наименование производителя: NDC651N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSOT6
 

 Аналог (замена) для NDC651N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDC651N даташит

 ..1. Size:71K  fairchild semi
 ndc651n.pdf pdf_icon

NDC651N

March 1996 NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-Channel logic level enhancement mode power field 3.2A, 30V. RDS(ON) = 0.09 @ VGS = 4.5V effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.06 @ VGS = 10V. high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored t

Другие MOSFET... NDB7060 , NDB7060L , NDB7061 , NDB7061L , NDB708A , NDB710A , NDC631N , NDC632P , IRF640N , NDC652P , NDC7002N , NDC7003P , NDH8301N , NDH8302P , NDH8303N , NDH8304P , NDH831N .

 

 
Back to Top

 


 
.