BUZ360 Todos los transistores

 

BUZ360 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ360
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-218AA
 

 Búsqueda de reemplazo de BUZ360 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUZ360 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  siemens
 buz360.pdf pdf_icon

BUZ360

 9.1. Size:176K  siemens
 buz361.pdf pdf_icon

BUZ360

 9.2. Size:223K  inchange semiconductor
 buz36.pdf pdf_icon

BUZ360

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ36FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.12(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,relay drivers and drivers fo

Otros transistores... BUZ348 , BUZ349 , BUZ350 , BUZ351 , BUZ355 , BUZ356 , BUZ357 , BUZ358 , 4N60 , BUZ37 , BUZ381 , BUZ383 , BUZ385 , BUZ40B , BUZ44A , BUZ45B , BUZ51 .

 

 
Back to Top

 


 
.