BUZ360 Todos los transistores

 

BUZ360 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ360
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-218AA
 

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BUZ360 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  siemens
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BUZ360

 9.1. Size:176K  siemens
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BUZ360

 9.2. Size:223K  inchange semiconductor
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BUZ360

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ36FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.12(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,relay drivers and drivers fo

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History: SI8100DB | BL40N30L-F | AP60SL600AH | AOD496 | 2SK596S-B | AP4880GEM | 2SK802

 

 
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