BUZ360 Todos los transistores

 

BUZ360 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ360

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-218AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ360

 

BUZ360 Datasheet (PDF)

1.1. buz360.pdf Size:180K _update_mosfet

BUZ360
BUZ360



5.1. buz361.pdf Size:176K _update_mosfet

BUZ360
BUZ360



Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top

 


BUZ360
  BUZ360
  BUZ360
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: INK0310AP1 | INK0302AC1 | INK021AAP1 | INK0210AP1 | INK0210AC1 | INK0200AC1 | INK011BAP1 | INK0112AU1 | INK0112AM1 | INK0112AC1 | INK0103AU1 | INK0103AM1 | INK0103AC1 | INK0102AU1 | INK0102AM1 |

 

 

 
Back to Top