BUZ360. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ360

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-218AA

Аналог (замена) для BUZ360

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ360 даташит

 ..1. Size:180K  siemens
 buz360.pdf pdf_icon

BUZ360

 9.1. Size:176K  siemens
 buz361.pdf pdf_icon

BUZ360

 9.2. Size:223K  inchange semiconductor
 buz36.pdf pdf_icon

BUZ360

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ36 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.12 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers fo

Другие IGBT... BUZ348, BUZ349, BUZ350, BUZ351, BUZ355, BUZ356, BUZ357, BUZ358, 12N60, BUZ37, BUZ381, BUZ383, BUZ385, BUZ40B, BUZ44A, BUZ45B, BUZ51