Справочник MOSFET. BUZ360

 

BUZ360 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ360
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-218AA
 

 Аналог (замена) для BUZ360

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ360 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  siemens
 buz360.pdf pdf_icon

BUZ360

 9.1. Size:176K  siemens
 buz361.pdf pdf_icon

BUZ360

 9.2. Size:223K  inchange semiconductor
 buz36.pdf pdf_icon

BUZ360

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ36FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.12(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,relay drivers and drivers fo

Другие MOSFET... BUZ348 , BUZ349 , BUZ350 , BUZ351 , BUZ355 , BUZ356 , BUZ357 , BUZ358 , 4N60 , BUZ37 , BUZ381 , BUZ383 , BUZ385 , BUZ40B , BUZ44A , BUZ45B , BUZ51 .

History: AP75T10GP | HGP130N12SL | P5015BD | NCEP40P65QU | PM516BZ

 

 
Back to Top

 


 
.