BUZ383 Todos los transistores

 

BUZ383 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ383
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-218AA
 

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BUZ383 Datasheet (PDF)

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BUZ383

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BUZ383

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BUZ383

BUZ 384SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFETPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 384 500 V 10.5 A 0.6 TO-218 AA C67078-A3209-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 500 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 500Continuous drain current ID ATC = 25 C 10.5Pulsed drain

 9.3. Size:130K  siemens
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BUZ383

BUZ 380SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFETPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 380 1000 V 5.5 A 2 TO-218 AA C67078-A3205-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 30 C 5.5Pulsed drain

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History: HAT2160H | GP2M007A065XG | AP4501AGEM-HF | VP3203N3 | SPI21N50C3 | SSF3416 | AP6N1R7CDT

 

 
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