BUZ383 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ383

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-218AA

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BUZ383 datasheet

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BUZ383

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BUZ383

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BUZ383

BUZ 384 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFET Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 384 500 V 10.5 A 0.6 TO-218 AA C67078-A3209-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 500 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 500 Continuous drain current ID A TC = 25 C 10.5 Pulsed drain

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BUZ383

BUZ 380 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFET Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 380 1000 V 5.5 A 2 TO-218 AA C67078-A3205-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 1000 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 1000 Continuous drain current ID A TC = 30 C 5.5 Pulsed drain

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