BUZ383. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ383

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-218AA

Аналог (замена) для BUZ383

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ383 даташит

 ..1. Size:187K  siemens
 buz383.pdf pdf_icon

BUZ383

 9.1. Size:96K  njs
 buz385.pdf pdf_icon

BUZ383

 9.2. Size:156K  siemens
 buz384.pdf pdf_icon

BUZ383

BUZ 384 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFET Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 384 500 V 10.5 A 0.6 TO-218 AA C67078-A3209-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 500 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 500 Continuous drain current ID A TC = 25 C 10.5 Pulsed drain

 9.3. Size:130K  siemens
 buz380.pdf pdf_icon

BUZ383

BUZ 380 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFET Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 380 1000 V 5.5 A 2 TO-218 AA C67078-A3205-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 1000 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 1000 Continuous drain current ID A TC = 30 C 5.5 Pulsed drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUZ351, BUZ355, BUZ356, BUZ357, BUZ358, BUZ360, BUZ37, BUZ381, IRFB3607, BUZ385, BUZ40B, BUZ44A, BUZ45B, BUZ51, BUZ53A, BUZ53C, BUZ54