BUZ385 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ385  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-218AA

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de BUZ385 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUZ385 datasheet

 ..1. Size:96K  njs
 buz385.pdf pdf_icon

BUZ385

 9.1. Size:156K  siemens
 buz384.pdf pdf_icon

BUZ385

BUZ 384 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFET Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 384 500 V 10.5 A 0.6 TO-218 AA C67078-A3209-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 500 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 500 Continuous drain current ID A TC = 25 C 10.5 Pulsed drain

 9.2. Size:130K  siemens
 buz380.pdf pdf_icon

BUZ385

BUZ 380 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFET Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 380 1000 V 5.5 A 2 TO-218 AA C67078-A3205-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 1000 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 1000 Continuous drain current ID A TC = 30 C 5.5 Pulsed drain

 9.3. Size:187K  siemens
 buz383.pdf pdf_icon

BUZ385

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... BUZ355, BUZ356, BUZ357, BUZ358, BUZ360, BUZ37, BUZ381, BUZ383, RFP50N06, BUZ40B, BUZ44A, BUZ45B, BUZ51, BUZ53A, BUZ53C, BUZ54, BUZ54A