BUZ385 Todos los transistores

 

BUZ385 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ385
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-218AA
 

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Principales características: BUZ385

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BUZ385

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BUZ385

BUZ 384 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFET Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 384 500 V 10.5 A 0.6 TO-218 AA C67078-A3209-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 500 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 500 Continuous drain current ID A TC = 25 C 10.5 Pulsed drain

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BUZ385

BUZ 380 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFET Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 380 1000 V 5.5 A 2 TO-218 AA C67078-A3205-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 1000 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 1000 Continuous drain current ID A TC = 30 C 5.5 Pulsed drain

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BUZ385

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