BUZ385 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ385

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 80 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-218AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ385

BUZ385 Datasheet (PDF)

1.1. buz385.pdf Size:96K _update_mosfet

5.1. buz381.pdf Size:178K _update_mosfet

5.2. buz383.pdf Size:187K _update_mosfet

5.3. buz384.pdf Size:156K _update-mosfet

BUZ 384 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • FREDFET Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 384 500 V 10.5 A 0.6 Ω TO-218 AA C67078-A3209-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 500 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 kΩ 500 Continuous drain current ID A TC = 25 °C 10.5 Pulsed drain

5.4. buz380.pdf Size:130K _update-mosfet

BUZ 380 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • FREDFET Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 380 1000 V 5.5 A 2 Ω TO-218 AA C67078-A3205-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 1000 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 kΩ 1000 Continuous drain current ID A TC = 30 °C 5.5 Pulsed drain

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: