BUZ385 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

BUZ385 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: BUZ385
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-218AA

Аналог (замена) для BUZ385

BUZ385 Datasheet (PDF)

..1. Size:96K njs
buz385.pdf

9.1. Size:156K siemens
buz384.pdf

BUZ 384SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFETPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 384 500 V 10.5 A 0.6 TO-218 AA C67078-A3209-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 500 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 500Continuous drain current ID ATC = 25 C 10.5Pulsed drain

9.2. Size:130K siemens
buz380.pdf

BUZ 380SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFETPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 380 1000 V 5.5 A 2 TO-218 AA C67078-A3205-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 30 C 5.5Pulsed drain

9.3. Size:187K siemens
buz383.pdf