NDC652P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDC652P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: SUPERSOT6

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NDC652P datasheet

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NDC652P

March 1996 NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-Channel logic level enhancement mode power field 3.2A, 30V. RDS(ON) = 0.09 @ VGS = 4.5V effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.06 @ VGS = 10V. high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored t

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